具有改變性能的自動(dòng)化功能的晶圓推拉力測(cè)試儀，能測(cè)量微小產(chǎn)品的機(jī)械強(qiáng)度。博森源測(cè)試儀器是一個(gè)革命性的解決方案，對(duì)于測(cè)量機(jī)械性強(qiáng)度。具有顯著的0.25%的精度和200納米的剪切高度精度，已超高行業(yè)其他同類(lèi)型測(cè)試器。包括免費(fèi)安裝設(shè)備和深度學(xué)習(xí)自動(dòng)測(cè)試和分析。
為什么選擇一臺(tái)博森源推拉力測(cè)試儀?
1.靈活的數(shù)據(jù)分析
統(tǒng)計(jì)過(guò)程控制
控制圖(CPK、圖等)
特殊表格管理功能
實(shí)時(shí)力圖
制定管制規(guī)則
2.最精確的推力和拉力測(cè)試儀
無(wú)與倫比的0.25%精度
200納米剪切高度精度
數(shù)字溫度特征
可編程著陸力降至5gf
24位ADC分辨率
3.按設(shè)計(jì)模塊化
各種裝載選擇
也適合你的樣品
強(qiáng)大的顯微鏡選項(xiàng)
4.最佳人體工程學(xué)
為操作員設(shè)計(jì)
可調(diào)節(jié)的顯微鏡
清潔工作環(huán)境
碎片管理
2x6按鈕操縱桿
5.全球服務(wù)
市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者
重點(diǎn)區(qū)域的辦公室
廣泛的分銷(xiāo)商和代表網(wǎng)絡(luò)
如何實(shí)現(xiàn)高精度測(cè)試？
1.剪高控制
納米控制剪切傳感器有一個(gè)獨(dú)特的驅(qū)動(dòng)器，在剪切傳感器體內(nèi)有一個(gè)封閉的控制環(huán)。它提高了剪切高度的精度和穩(wěn)定性，在測(cè)試關(guān)鍵應(yīng)用，如晶圓級(jí)，涂層，和鉛框架的精度為200納米。
2.確保對(duì)剪切高度進(jìn)行納米控制
剪切高度是在粘結(jié)測(cè)試儀上控制的最具挑戰(zhàn)性的排列之一。測(cè)試之間的差異可能會(huì)影響測(cè)量結(jié)果，并降低測(cè)試結(jié)果的可靠性。革命性的納米控制剪切傳感器通過(guò)在剪切傳感器主體內(nèi)集成一個(gè)獨(dú)特的驅(qū)動(dòng)器和一個(gè)閉合的控制回路來(lái)解決所有這些問(wèn)題。
該傳感器可補(bǔ)償測(cè)試過(guò)程中剪切高度的任何變化，并使粘合測(cè)試過(guò)程中的剪切高度完全可追溯。它是一種特殊的解決方案，可用于測(cè)試晶圓級(jí)、涂層和引線(xiàn)框架等精確應(yīng)用。
3.推力工具設(shè)計(jì)
一些基本考慮因素適用于所有剪切工具設(shè)計(jì)應(yīng)用。
當(dāng)?shù)毒呓佑|待測(cè)物時(shí)，將發(fā)生初始點(diǎn)或線(xiàn)的接觸。隨著測(cè)試的繼續(xù)，這會(huì)導(dǎo)致接觸位置的高局部應(yīng)力和樣品中的塑性變形。
（1）向下推力
為了破壞接著面，球必須能夠從粘結(jié)中抬起，但推刀在物理上是將其壓住。 為了使其更不容易發(fā)生粘接失效，塑性變形會(huì)產(chǎn)生向下推力而將粘合推到一起，有助于支撐它。 下推力從硬質(zhì)樣品中的0到復(fù)合材料高達(dá)40%的測(cè)試載荷不等。在大多數(shù)情況下，它大約是測(cè)試負(fù)載的 10%。
（2）硬質(zhì)散裝材料
對(duì)于硬質(zhì)材料，沒(méi)有下推力。 只有刀具和球在接觸點(diǎn)處的摩擦才能支撐粘合。 這使得球可以旋轉(zhuǎn)并使粘結(jié)失效。在高測(cè)試速度下，變形（應(yīng)變率）更快 。硬質(zhì)材料硬度隨應(yīng)變率的增加而增加。因此，在高速下，硬質(zhì)材料更硬，因此會(huì)產(chǎn)生更多感興趣的失效模式。
（3）刀具傾角和間隙角
傾角和間隙角是工具表面與待測(cè)物接觸的基本角度。例如：標(biāo)準(zhǔn)剪切工具應(yīng)具有 0° 傾角和約 5° 的正間隙角。
（4）可程序設(shè)計(jì)著陸力
在某些應(yīng)用中，測(cè)試高度參考測(cè)試目標(biāo)本身，而不是放置目標(biāo)的基板較具有優(yōu)勢(shì)。這是一種「頂部著陸」方法，因?yàn)楣ぞ呗湓谀繕?biāo)頂部而不是基板上。
頂部著陸需要針對(duì)不同的應(yīng)用不同的力，需要可程序設(shè)計(jì)的著陸力。
以輕微的著陸力降落在芯片頂部還可以通過(guò)將芯片在推刀和治具之間壓平而最大限度地減少翹曲的影響。
也可以使用頂部著陸來(lái)測(cè)試堆棧的芯片樣品或測(cè)試彼此靠近的芯片。
